SCTW100N65G2AG | STMicroelectronics SCTW100N65G2AG | SCTW100N65G2AG Inventory, Best Pricing

SCTW100N65G2AG

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	SCTW100N65G2AG
LIXINC Part #	SCTW100N65G2AG
Valmistaja	STMicroelectronics
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	SICFET N-CH 650V 100A HIP247
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	SCTW100N65G2AG PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 21 - Sep 25 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

SCTW100N65G2AG Tekniset tiedot

Osa numero:	SCTW100N65G2AG
Brändi:	STMicroelectronics
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	STMicroelectronics
sarja:	Automotive, AEC-Q101
paketti:	Tube
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	SiCFET (Silicon Carbide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	650 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	100A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	18V
rds päällä (max) @ id, vgs:	26mOhm @ 50A, 18V
vgs(th) (max) @ id:	5V @ 5mA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	162 nC @ 18 V
vgs (max):	+22V, -10V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	3315 pF @ 520 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	420W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 200°C (TJ)
asennustyyppi:	Through Hole
toimittajan laitepaketti:	HiP247™
paketti/laukku:	TO-247-3