PMZB670UPE,315 | Nexperia PMZB670UPE,315 | PMZB670UPE,315 Inventory, Best Pricing

PMZB670UPE,315

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	PMZB670UPE,315
LIXINC Part #	PMZB670UPE,315
Valmistaja	Nexperia
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET P-CH 20V 680MA DFN1006B-3
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	PMZB670UPE,315 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 27 - Oct 01 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

PMZB670UPE,315 Tekniset tiedot

Osa numero:	PMZB670UPE,315
Brändi:	Nexperia
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Nexperia
sarja:	-
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Active
fet tyyppi:	P-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	20 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	680mA (Ta)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	1.8V, 4.5V
rds päällä (max) @ id, vgs:	850mOhm @ 400mA, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	1.3V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	1.14 nC @ 4.5 V
vgs (max):	±8V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	87 pF @ 10 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	DFN1006B-3
paketti/laukku:	3-XFDFN