SSM6J502NU,LF | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation SSM6J502NU,LF

SSM6J502NU,LF

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	SSM6J502NU,LF
LIXINC Part #	SSM6J502NU,LF
Valmistaja	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET P-CH 20V 6A 6UDFNB
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	SSM6J502NU,LF PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 27 - Oct 01 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

SSM6J502NU,LF Tekniset tiedot

Osa numero:	SSM6J502NU,LF
Brändi:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
sarja:	U-MOSVI
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Active
fet tyyppi:	P-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	20 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	6A (Ta)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	1.5V, 4.5V
rds päällä (max) @ id, vgs:	23.1mOhm @ 4A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	1V @ 1mA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	24.8 nC @ 4.5 V
vgs (max):	±8V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	1800 pF @ 10 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	1W (Ta)
Käyttölämpötila:	150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	6-UDFNB (2x2)
paketti/laukku:	6-WDFN Exposed Pad