IRFH8337TRPBF | Rochester Electronics IRFH8337TRPBF | IRFH8337TRPBF Inventory, Best Pricing

IRFH8337TRPBF

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	IRFH8337TRPBF
LIXINC Part #	IRFH8337TRPBF
Valmistaja	Rochester Electronics
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 30V 12A/35A PQFN
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	IRFH8337TRPBF PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 24 - Sep 28 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

IRFH8337TRPBF Tekniset tiedot

Osa numero:	IRFH8337TRPBF
Brändi:	Rochester Electronics
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Rochester Electronics
sarja:	HEXFET®
paketti:	Bulk
osan tila:	Obsolete
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	30 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	12A (Ta), 35A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	4.5V, 10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	12.8mOhm @ 16.2A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.35V @ 25µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	10 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	790 pF @ 10 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	3.2W (Ta), 27W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	PQFN (5x6)
paketti/laukku:	8-PowerTDFN