NDH832P | Rochester Electronics NDH832P | NDH832P Inventory, Best Pricing

NDH832P

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	NDH832P
LIXINC Part #	NDH832P
Valmistaja	Rochester Electronics
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET P-CH 20V 4.2A SUPERSOT8
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	NDH832P PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Jun 30 - Jul 04 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

NDH832P Tekniset tiedot

Osa numero:	NDH832P
Brändi:	Rochester Electronics
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Rochester Electronics
sarja:	-
paketti:	Bulk
osan tila:	Obsolete
fet tyyppi:	P-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	20 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	4.2A (Ta)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	2.7V, 4.5V
rds päällä (max) @ id, vgs:	60mOhm @ 4.2A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	1V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	30 nC @ 4.5 V
vgs (max):	-8V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	1 pF @ 10 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	1.8W (Ta)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	SuperSOT™-8
paketti/laukku:	8-LSOP (0.130", 3.30mm Width)