STU1HN60K3 | STMicroelectronics STU1HN60K3 | STU1HN60K3 Inventory, Best Pricing

STU1HN60K3

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	STU1HN60K3
LIXINC Part #	STU1HN60K3
Valmistaja	STMicroelectronics
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 600V 1.2A IPAK
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	STU1HN60K3 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 10 - Oct 14 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

STU1HN60K3 Tekniset tiedot

Osa numero:	STU1HN60K3
Brändi:	STMicroelectronics
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	STMicroelectronics
sarja:	SuperMESH3™
paketti:	Tube
osan tila:	Not For New Designs
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	600 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	1.2A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	8Ohm @ 600mA, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4.5V @ 50µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	9.5 nC @ 10 V
vgs (max):	±30V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	140 pF @ 50 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	27W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Through Hole
toimittajan laitepaketti:	I-PAK
paketti/laukku:	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA