DMN33D8LTQ-13 | Zetex Semiconductors (Diodes Inc.) DMN33D8LTQ-13

DMN33D8LTQ-13

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	DMN33D8LTQ-13
LIXINC Part #	DMN33D8LTQ-13
Valmistaja	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 30V 115MA SOT523
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	DMN33D8LTQ-13 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 10 - Oct 14 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

DMN33D8LTQ-13 Tekniset tiedot

Osa numero:	DMN33D8LTQ-13
Brändi:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
sarja:	Automotive, AEC-Q101
paketti:	Tape & Reel (TR)
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	30 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	115mA (Ta)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	2.5V, 4V
rds päällä (max) @ id, vgs:	5Ohm @ 10mA, 4V
vgs(th) (max) @ id:	1.5V @ 100µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	0.55 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	48 pF @ 5 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	240mW (Ta)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	SOT-523
paketti/laukku:	SOT-523