AFT05MS031GNR1 | NXP Semiconductors AFT05MS031GNR1 | AFT05MS031GNR1 Inventory, Best Pricing

AFT05MS031GNR1

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	AFT05MS031GNR1
LIXINC Part #	AFT05MS031GNR1
Valmistaja	NXP Semiconductors
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - rf
Kuvaus	FET RF 40V 520MHZ TO270-2G
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	AFT05MS031GNR1 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 09 - Oct 13 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

AFT05MS031GNR1 Tekniset tiedot

Osa numero:	AFT05MS031GNR1
Brändi:	NXP Semiconductors
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - rf
Valmistaja:	NXP Semiconductors
sarja:	-
paketti:	Tape & Reel (TR)
osan tila:	Active
transistorin tyyppi:	LDMOS
taajuus:	520MHz
saada:	17.7dB
jännite - testi:	13.6 V
nykyinen arvo (ampeeria):	-
melukuva:	-
virta - testi:	10 mA
teho - lähtö:	31W
jännite - nimellinen:	40 V
paketti/laukku:	TO-270BA
toimittajan laitepaketti:	TO-270-2 GULL

BLC9G22LS-160VTZ	RF MOSFET LDMOS 28V SOT1271-3	945 Lisää tilauksesta
275-101N30A-00	RF MOSFET N-CHANNEL DE275	1005 Lisää tilauksesta
MRF6P18190HR6	RF K BAND, N-CHANNEL	1198 Lisää tilauksesta
MW6S010GNR1	RF MOSFET LDMOS 28V TO270-2 GULL	1520 Lisää tilauksesta
BLF8G10LS-270,118	RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502B	907 Lisää tilauksesta
BLF8G22LS-270V,118	RF FET LDMOS 65V 17.3DB SOT1244B	939 Lisää tilauksesta
BLP05H6110XRGY	RF FET LDMOS 135V 27DB SOT12242	1006 Lisää tilauksesta
BLF8G27LS-150VU	RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1244B	900 Lisää tilauksesta
MCH3456-TL-E	NCH 1.8V DRIVE SERIES	87975 Lisää tilauksesta
A2G26H281-04SR3	AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR	934 Lisää tilauksesta
2SJ277-DL-E	PCH 4V DRIVE SERIES	2961 Lisää tilauksesta
BLF2425M7LS250P:11	RF FET LDMOS 65V 15DB SOT539B	800 Lisää tilauksesta
STAC4933	MOSF RF N CH 200V 40A STAC177B	998 Lisää tilauksesta