NE3512S02-T1C-A | Rochester Electronics NE3512S02-T1C-A | NE3512S02-T1C-A Inventory, Best Pricing

NE3512S02-T1C-A

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	NE3512S02-T1C-A
LIXINC Part #	NE3512S02-T1C-A
Valmistaja	Rochester Electronics
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - rf
Kuvaus	SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	NE3512S02-T1C-A PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 22 - Sep 26 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

NE3512S02-T1C-A Tekniset tiedot

Osa numero:	NE3512S02-T1C-A
Brändi:	Rochester Electronics
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - rf
Valmistaja:	Rochester Electronics
sarja:	-
paketti:	Bulk
osan tila:	Obsolete
transistorin tyyppi:	HFET
taajuus:	12GHz
saada:	13.5dB
jännite - testi:	2 V
nykyinen arvo (ampeeria):	70mA
melukuva:	0.35dB
virta - testi:	10 mA
teho - lähtö:	-
jännite - nimellinen:	4 V
paketti/laukku:	4-SMD, Flat Leads
toimittajan laitepaketti:	S02

WP2806045UH	RF GAN HEMT 28V DC ~ 6GHZ, 45W	877 Lisää tilauksesta
NPT1012B	HEMT N-CH 28V 25W DC-4000MHZ	947 Lisää tilauksesta
ARF461BG	RF MOSFET N-CH 1000V TO247	878 Lisää tilauksesta
CGH40025F	RF MOSFET HEMT 28V 440166	1607 Lisää tilauksesta
SD57030-01	FET RF 65V 945MHZ M250	892 Lisää tilauksesta
2SK3491-TL-E	NCH 4V DRIVE SERIES	410474 Lisää tilauksesta
PD85035STR-E	TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF	863 Lisää tilauksesta
CGHV96100F2	RF MOSFET HEMT 40V 440210	942 Lisää tilauksesta
BG3130H6327XTSA1	DUAL N-CHANNEL MOSFET TETRODE	537948 Lisää tilauksesta
AFT20S015NR1	RF MOSFET LDMOS 28V TO270-2	1421 Lisää tilauksesta
CGH40045F	RF MOSFET HEMT 28V 440193	1248 Lisää tilauksesta
BLP10H603AZ	RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN	940 Lisää tilauksesta
MRF175GV	FET RF 2CH 65V 225MHZ 375-04	850 Lisää tilauksesta