PD85035STR-E | STMicroelectronics PD85035STR-E | PD85035STR-E Inventory, Best Pricing

PD85035STR-E

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	PD85035STR-E
LIXINC Part #	PD85035STR-E
Valmistaja	STMicroelectronics
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - rf
Kuvaus	TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	PD85035STR-E PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 22 - Sep 26 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

PD85035STR-E Tekniset tiedot

Osa numero:	PD85035STR-E
Brändi:	STMicroelectronics
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - rf
Valmistaja:	STMicroelectronics
sarja:	-
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Active
transistorin tyyppi:	LDMOS
taajuus:	870MHz
saada:	17dB
jännite - testi:	13.6 V
nykyinen arvo (ampeeria):	8A
melukuva:	-
virta - testi:	350 mA
teho - lähtö:	15W
jännite - nimellinen:	40 V
paketti/laukku:	PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Straight Leads)
toimittajan laitepaketti:	PowerSO-10RF (Straight Lead)

CGHV96100F2	RF MOSFET HEMT 40V 440210	1034 Lisää tilauksesta
BG3130H6327XTSA1	DUAL N-CHANNEL MOSFET TETRODE	537884 Lisää tilauksesta
AFT20S015NR1	RF MOSFET LDMOS 28V TO270-2	1336 Lisää tilauksesta
CGH40045F	RF MOSFET HEMT 28V 440193	1274 Lisää tilauksesta
BLP10H603AZ	RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN	925 Lisää tilauksesta
MRF175GV	FET RF 2CH 65V 225MHZ 375-04	846 Lisää tilauksesta
BLS8G2731LS-400PU	RF FET LDMOS 65V 13DB SOT539B	1012 Lisää tilauksesta
CGHV1J006D-GP4	RF MOSFET HEMT 40V DIE	1061 Lisää tilauksesta
BLM10D3438-35ABZ	BLM10D3438-35AB/SOT1462/REELDP	1520 Lisää tilauksesta
CGHV40100F	RF MOSFET HEMT 50V 440193	1092 Lisää tilauksesta
NPTB00025B	HEMT N-CH 28V 25W DC-4000MHZ	925 Lisää tilauksesta
PD57060S-E	FET RF 65V 945MHZ PWRSO10	1235 Lisää tilauksesta
MPIC2112DW	MPIC2112DW	1254 Lisää tilauksesta