BLD6G22LS-50,112 | Rochester Electronics BLD6G22LS-50,112 | BLD6G22LS-50,112 Inventory, Best Pricing

BLD6G22LS-50,112

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	BLD6G22LS-50,112
LIXINC Part #	BLD6G22LS-50,112
Valmistaja	Rochester Electronics
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - rf
Kuvaus	RF TRANSISTOR
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	BLD6G22LS-50,112 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 21 - Sep 25 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

BLD6G22LS-50,112 Tekniset tiedot

Osa numero:	BLD6G22LS-50,112
Brändi:	Rochester Electronics
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - rf
Valmistaja:	Rochester Electronics
sarja:	-
paketti:	Tray
osan tila:	Obsolete
transistorin tyyppi:	LDMOS (Dual), Common Source
taajuus:	2.14GHz
saada:	14dB
jännite - testi:	28 V
nykyinen arvo (ampeeria):	10.2A
melukuva:	-
virta - testi:	170 mA
teho - lähtö:	8W
jännite - nimellinen:	65 V
paketti/laukku:	SOT-1130B
toimittajan laitepaketti:	CDFM4

CPH6413-TL-E	NCH 2.5V DRIVE SERIES	339845 Lisää tilauksesta
BLP8G10S-45PGY	RF FET LDMOS 65V 20.8DB 4BESOP	1049 Lisää tilauksesta
BF1105WR,115	MOSFET N-CH 7V DUAL SOT343R	943 Lisää tilauksesta
BLP10H610AZ	RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN	1163 Lisää tilauksesta
MRFE6VP8600HR5	FET RF 2CH 130V 860MHZ NI-1230	935 Lisää tilauksesta
BLC8G27LS-240AVJ	RF FET LDMOS 65V 14DB SOT12521	901 Lisää tilauksesta
MWT-773	FET RF 5V 26GHZ PKG 73	1244 Lisää tilauksesta
CE3512K2-C1	RF FET 4V 12GHZ 4MICROX	21848 Lisää tilauksesta
BLF571,112	RF MOSFET LDMOS 50V SOT467C	958 Lisää tilauksesta
BLL8H1214L-250U	RF FET LDMOS 100V 17DB SOT502A	846 Lisää tilauksesta
BF1009SRE6327HTSA1	SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET	9971 Lisää tilauksesta
MRFG35003N6T1	RF S BAND, GALLIUM ARSENIDE, N-C	4951 Lisää tilauksesta
MRF6S19060NR1	FET RF 68V 1.93GHZ TO270-4	994 Lisää tilauksesta