SQJ262EP-T1_GE3 | Vishay / Siliconix SQJ262EP-T1_GE3 | SQJ262EP-T1

SQJ262EP-T1_GE3

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	SQJ262EP-T1_GE3
LIXINC Part #	SQJ262EP-T1_GE3
Valmistaja	Vishay / Siliconix
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - taulukot
Kuvaus	MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	SQJ262EP-T1_GE3 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 22 - Sep 26 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

SQJ262EP-T1_GE3 Tekniset tiedot

Osa numero:	SQJ262EP-T1_GE3
Brändi:	Vishay / Siliconix
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - taulukot
Valmistaja:	Vishay / Siliconix
sarja:	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Active
fet tyyppi:	2 N-Channel (Dual)
fet-ominaisuus:	Standard
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	60V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	15A (Tc), 40A (Tc)
rds päällä (max) @ id, vgs:	35.5mOhm @ 2A, 10V, 15.5mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.5V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	10nC @ 10V, 23nC @ 10V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	550pF @ 25V, 1260pF @ 25V
teho - max:	27W (Tc), 48W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 175°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
paketti/laukku:	PowerPAK® SO-8 Dual
toimittajan laitepaketti:	PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric