SI5517DU-T1-GE3 | Vishay / Siliconix SI5517DU-T1-GE3 | SI5517DU-T1-GE3 Inventory, Best Pricing

SI5517DU-T1-GE3

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	SI5517DU-T1-GE3
LIXINC Part #	SI5517DU-T1-GE3
Valmistaja	Vishay / Siliconix
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - taulukot
Kuvaus	MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	SI5517DU-T1-GE3 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 22 - Sep 26 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

SI5517DU-T1-GE3 Tekniset tiedot

Osa numero:	SI5517DU-T1-GE3
Brändi:	Vishay / Siliconix
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - taulukot
Valmistaja:	Vishay / Siliconix
sarja:	TrenchFET®
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N and P-Channel
fet-ominaisuus:	Logic Level Gate
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	20V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	6A
rds päällä (max) @ id, vgs:	39mOhm @ 4.4A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	1V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	16nC @ 8V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	520pF @ 10V
teho - max:	8.3W
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
paketti/laukku:	PowerPAK® ChipFET™ Dual
toimittajan laitepaketti:	PowerPAK® ChipFet Dual