TC58CVG2S0HQAIE | Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.) TC58CVG2S0HQAIE

TC58CVG2S0HQAIE

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	TC58CVG2S0HQAIE
LIXINC Part #	TC58CVG2S0HQAIE
Valmistaja	Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
Kategoria	integroidut piirit › muisti
Kuvaus	IC FLASH 4GBIT SPI 104MHZ 16SOP
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	TC58CVG2S0HQAIE PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 09 - Oct 13 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

TC58CVG2S0HQAIE Tekniset tiedot

Osa numero:	TC58CVG2S0HQAIE
Brändi:	Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	integroidut piirit
Alaluokka:	muisti
Valmistaja:	Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
sarja:	-
paketti:	Tray
osan tila:	Active
muistin tyyppi:	Non-Volatile
muistimuoto:	FLASH
teknologiaa:	FLASH - NAND (SLC)
muistin koko:	4Gb (512M x 8)
muistin käyttöliittymä:	SPI
kellotaajuus:	104 MHz
kirjoitusjakson aika - sana, sivu:	-
kirjautumisaika:	280 µs
jännite - syöttö:	2.7V ~ 3.6V
Käyttölämpötila:	-40°C ~ 85°C (TA)
asennustyyppi:	Surface Mount
paketti/laukku:	16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
toimittajan laitepaketti:	16-SOP