IS61NVP102418-200B3I | ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) IS61NVP102418-200B3I | IS61NVP102418-200B3I Inventory, Best Pricing

IS61NVP102418-200B3I

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	IS61NVP102418-200B3I
LIXINC Part #	IS61NVP102418-200B3I
Valmistaja	ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Kategoria	integroidut piirit › muisti
Kuvaus	IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165TFBGA
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	IS61NVP102418-200B3I PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 25 - Oct 29 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

IS61NVP102418-200B3I Tekniset tiedot

Osa numero:	IS61NVP102418-200B3I
Brändi:	ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	integroidut piirit
Alaluokka:	muisti
Valmistaja:	ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
sarja:	-
paketti:	Tray
osan tila:	Obsolete
muistin tyyppi:	Volatile
muistimuoto:	SRAM
teknologiaa:	SRAM - Synchronous, SDR
muistin koko:	18Mb (1M x 18)
muistin käyttöliittymä:	Parallel
kellotaajuus:	200 MHz
kirjoitusjakson aika - sana, sivu:	-
kirjautumisaika:	3.1 ns
jännite - syöttö:	2.375V ~ 2.625V
Käyttölämpötila:	-40°C ~ 85°C (TA)
asennustyyppi:	Surface Mount
paketti/laukku:	165-TBGA
toimittajan laitepaketti:	165-TFBGA (13x15)