HIP6601BECBZ | Intersil (Renesas Electronics America) HIP6601BECBZ

HIP6601BECBZ

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	HIP6601BECBZ
LIXINC Part #	HIP6601BECBZ
Valmistaja	Intersil (Renesas Electronics America)
Kategoria	integroidut piirit › pmic - portin ajurit
Kuvaus	IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	HIP6601BECBZ PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 06 - Oct 10 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

HIP6601BECBZ Tekniset tiedot

Osa numero:	HIP6601BECBZ
Brändi:	Intersil (Renesas Electronics America)
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	integroidut piirit
Alaluokka:	pmic - portin ajurit
Valmistaja:	Intersil (Renesas Electronics America)
sarja:	-
paketti:	Tube
osan tila:	Obsolete
ohjattu kokoonpano:	Half-Bridge
kanavan tyyppi:	Synchronous
kuljettajien määrä:	2
portin tyyppi:	N-Channel MOSFET
jännite - syöttö:	10.8V ~ 13.2V
logiikkajännite - vil, vih:	-
virta - huipputeho (lähde, nielu):	-
syötteen tyyppi:	Non-Inverting
korkea sivujännite - max (bootstrap):	15 V
nousu / lasku aika (tyyppi):	20ns, 20ns
Käyttölämpötila:	0°C ~ 125°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
paketti/laukku:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
toimittajan laitepaketti:	8-SOIC-EP