VS-ETF150Y65U | Vishay General Semiconductor – Diodes Division VS-ETF150Y65U

VS-ETF150Y65U

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	VS-ETF150Y65U
LIXINC Part #	VS-ETF150Y65U
Valmistaja	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - igbts - moduulit
Kuvaus	IGBT MOD 650V 142A EMIPAK-2B
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	VS-ETF150Y65U PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 22 - Sep 26 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

VS-ETF150Y65U Tekniset tiedot

Osa numero:	VS-ETF150Y65U
Brändi:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - igbts - moduulit
Valmistaja:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
sarja:	-
paketti:	Tray
osan tila:	Obsolete
igbt tyyppi:	Trench
kokoonpano:	Three Level Inverter
jännite - kollektorin emitterin rikkoutuminen (max):	650 V
virta - kollektori (ic) (max):	142 A
teho - max:	417 W
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.06V @ 15V, 100A
virta - kollektorin katkaisu (max):	100 µA
tulokapasitanssi (cies) @ vce:	6.6 nF @ 30 V
syöttö:	Standard
ntc termistori:	No
Käyttölämpötila:	175°C (TJ)
asennustyyppi:	Chassis Mount
paketti/laukku:	EMIPAK-2B
toimittajan laitepaketti:	EMIPAK-2B