VS-GB75LA60UF | Vishay General Semiconductor – Diodes Division VS-GB75LA60UF

VS-GB75LA60UF

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	VS-GB75LA60UF
LIXINC Part #	VS-GB75LA60UF
Valmistaja	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - igbts - moduulit
Kuvaus	IGBT MOD 600V 109A 447W SOT227
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	VS-GB75LA60UF PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 22 - Sep 26 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

VS-GB75LA60UF Tekniset tiedot

Osa numero:	VS-GB75LA60UF
Brändi:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - igbts - moduulit
Valmistaja:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
sarja:	-
paketti:	Tube
osan tila:	Obsolete
igbt tyyppi:	NPT
kokoonpano:	Single
jännite - kollektorin emitterin rikkoutuminen (max):	600 V
virta - kollektori (ic) (max):	109 A
teho - max:	447 W
vce(on) (max) @ vge, ic:	2V @ 15V, 35A
virta - kollektorin katkaisu (max):	50 µA
tulokapasitanssi (cies) @ vce:	-
syöttö:	Standard
ntc termistori:	No
Käyttölämpötila:	-40°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Chassis Mount
paketti/laukku:	SOT-227-4, miniBLOC
toimittajan laitepaketti:	SOT-227