APTGF50DDA120T3G | Microsemi APTGF50DDA120T3G | APTGF50DDA120T3G Inventory, Best Pricing

APTGF50DDA120T3G

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	APTGF50DDA120T3G
LIXINC Part #	APTGF50DDA120T3G
Valmistaja	Microsemi
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - igbts - moduulit
Kuvaus	IGBT MODULE 1200V 70A 312W SP3
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	APTGF50DDA120T3G PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 22 - Sep 26 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

APTGF50DDA120T3G Tekniset tiedot

Osa numero:	APTGF50DDA120T3G
Brändi:	Microsemi
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - igbts - moduulit
Valmistaja:	Microsemi
sarja:	-
paketti:	Bulk
osan tila:	Obsolete
igbt tyyppi:	NPT
kokoonpano:	Dual Boost Chopper
jännite - kollektorin emitterin rikkoutuminen (max):	1200 V
virta - kollektori (ic) (max):	70 A
teho - max:	312 W
vce(on) (max) @ vge, ic:	3.7V @ 15V, 50A
virta - kollektorin katkaisu (max):	250 µA
tulokapasitanssi (cies) @ vce:	3.45 nF @ 25 V
syöttö:	Standard
ntc termistori:	Yes
Käyttölämpötila:	-
asennustyyppi:	Chassis Mount
paketti/laukku:	SP3
toimittajan laitepaketti:	SP3