AUIRF7309Q | IR (Infineon Technologies) AUIRF7309Q | AUIRF7309Q Inventory, Best Pricing

AUIRF7309Q

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	AUIRF7309Q
LIXINC Part #	AUIRF7309Q
Valmistaja	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - taulukot
Kuvaus	MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SOIC
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	AUIRF7309Q PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 22 - Sep 26 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

AUIRF7309Q Tekniset tiedot

Osa numero:	AUIRF7309Q
Brändi:	IR (Infineon Technologies)
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - taulukot
Valmistaja:	IR (Infineon Technologies)
sarja:	HEXFET®
paketti:	Tube
osan tila:	Obsolete
fet tyyppi:	N and P-Channel
fet-ominaisuus:	Logic Level Gate
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	30V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	4A, 3A
rds päällä (max) @ id, vgs:	50mOhm @ 2.4A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	25nC @ 4.5V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	520pF @ 15V
teho - max:	1.4W
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
paketti/laukku:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
toimittajan laitepaketti:	8-SO