IPG20N06S4L14ATMA1 | IR (Infineon Technologies) IPG20N06S4L14ATMA1 | IPG20N06S4L14ATMA1 Inventory, Best Pricing

IPG20N06S4L14ATMA1

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	IPG20N06S4L14ATMA1
LIXINC Part #	IPG20N06S4L14ATMA1
Valmistaja	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - taulukot
Kuvaus	MOSFET 2N-CH 8TDSON
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	IPG20N06S4L14ATMA1 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 26 - Sep 30 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

IPG20N06S4L14ATMA1 Tekniset tiedot

Osa numero:	IPG20N06S4L14ATMA1
Brändi:	IR (Infineon Technologies)
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - taulukot
Valmistaja:	IR (Infineon Technologies)
sarja:	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
paketti:	Tape & Reel (TR)
osan tila:	Discontinued at Digi-Key
fet tyyppi:	2 N-Channel (Dual)
fet-ominaisuus:	Logic Level Gate
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	60V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	20A
rds päällä (max) @ id, vgs:	13.7mOhm @ 17A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.2V @ 20µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	39nC @ 10V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	2890pF @ 25V
teho - max:	50W
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 175°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
paketti/laukku:	8-PowerVDFN
toimittajan laitepaketti:	PG-TDSON-8-4