IRFH4255DTRPBF | IR (Infineon Technologies) IRFH4255DTRPBF | IRFH4255DTRPBF Inventory, Best Pricing

IRFH4255DTRPBF

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	IRFH4255DTRPBF
LIXINC Part #	IRFH4255DTRPBF
Valmistaja	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - taulukot
Kuvaus	MOSFET 2N-CH 25V 64A/105A PQFN
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	IRFH4255DTRPBF PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 26 - Sep 30 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

IRFH4255DTRPBF Tekniset tiedot

Osa numero:	IRFH4255DTRPBF
Brändi:	IR (Infineon Technologies)
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - taulukot
Valmistaja:	IR (Infineon Technologies)
sarja:	HEXFET®
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Obsolete
fet tyyppi:	2 N-Channel (Dual)
fet-ominaisuus:	Logic Level Gate
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	25V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	64A, 105A
rds päällä (max) @ id, vgs:	3.2mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.1V @ 35µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	15nC @ 4.5V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	1314pF @ 13V
teho - max:	31W, 38W
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
paketti/laukku:	8-PowerVDFN
toimittajan laitepaketti:	PQFN (5x6)