PMWD19UN,518 | NXP Semiconductors PMWD19UN,518 | PMWD19UN,518 Inventory, Best Pricing

PMWD19UN,518

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	PMWD19UN,518
LIXINC Part #	PMWD19UN,518
Valmistaja	NXP Semiconductors
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - taulukot
Kuvaus	MOSFET 2N-CH 30V 5.6A 8TSSOP
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	PMWD19UN,518 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 26 - Sep 30 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

PMWD19UN,518 Tekniset tiedot

Osa numero:	PMWD19UN,518
Brändi:	NXP Semiconductors
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - taulukot
Valmistaja:	NXP Semiconductors
sarja:	TrenchMOS™
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Obsolete
fet tyyppi:	2 N-Channel (Dual)
fet-ominaisuus:	Logic Level Gate
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	30V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	5.6A
rds päällä (max) @ id, vgs:	23mOhm @ 3.5A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	700mV @ 1mA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	28nC @ 5V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	1478pF @ 10V
teho - max:	2.3W
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
paketti/laukku:	8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
toimittajan laitepaketti:	8-TSSOP