IRF7329PBF | IR (Infineon Technologies) IRF7329PBF | IRF7329PBF Inventory, Best Pricing

IRF7329PBF

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	IRF7329PBF
LIXINC Part #	IRF7329PBF
Valmistaja	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - taulukot
Kuvaus	MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8-SOIC
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	IRF7329PBF PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 25 - Sep 29 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

IRF7329PBF Tekniset tiedot

Osa numero:	IRF7329PBF
Brändi:	IR (Infineon Technologies)
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - taulukot
Valmistaja:	IR (Infineon Technologies)
sarja:	HEXFET®
paketti:	Tube
osan tila:	Discontinued at Digi-Key
fet tyyppi:	2 P-Channel (Dual)
fet-ominaisuus:	Logic Level Gate
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	12V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	9.2A
rds päällä (max) @ id, vgs:	17mOhm @ 9.2A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	900mV @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	57nC @ 4.5V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	3450pF @ 10V
teho - max:	2W
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
paketti/laukku:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
toimittajan laitepaketti:	8-SO