TPC8212-H(TE12LQ,M | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TPC8212-H(TE12LQ,M | TPC8212-H(TE12LQ,M Inventory, Best Pricing

TPC8212-H(TE12LQ,M

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	TPC8212-H(TE12LQ,M
LIXINC Part #	TPC8212-H(TE12LQ,M
Valmistaja	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - taulukot
Kuvaus	MOSFET 2N-CH 30V 6A SOP8
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	TPC8212-H(TE12LQ,M PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 25 - Sep 29 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

TPC8212-H(TE12LQ,M Tekniset tiedot

Osa numero:	TPC8212-H(TE12LQ,M
Brändi:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - taulukot
Valmistaja:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
sarja:	-
paketti:	Tape & Reel (TR)
osan tila:	Obsolete
fet tyyppi:	2 N-Channel (Dual)
fet-ominaisuus:	Logic Level Gate
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	30V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	6A
rds päällä (max) @ id, vgs:	21mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.3V @ 1mA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	16nC @ 10V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	840pF @ 10V
teho - max:	450mW
Käyttölämpötila:	150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
paketti/laukku:	8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
toimittajan laitepaketti:	8-SOP (5.5x6.0)