IRF6723M2DTR1P | IR (Infineon Technologies) IRF6723M2DTR1P | IRF6723M2DTR1P Inventory, Best Pricing

IRF6723M2DTR1P

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	IRF6723M2DTR1P
LIXINC Part #	IRF6723M2DTR1P
Valmistaja	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - taulukot
Kuvaus	MOSFET 2N-CH 30V 15A DIRECTFET
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	IRF6723M2DTR1P PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 25 - Sep 29 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

IRF6723M2DTR1P Tekniset tiedot

Osa numero:	IRF6723M2DTR1P
Brändi:	IR (Infineon Technologies)
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - taulukot
Valmistaja:	IR (Infineon Technologies)
sarja:	HEXFET®
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Obsolete
fet tyyppi:	2 N-Channel (Dual)
fet-ominaisuus:	Logic Level Gate
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	30V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	15A
rds päällä (max) @ id, vgs:	6.6mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.35V @ 25µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	14nC @ 4.5V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	1380pF @ 15V
teho - max:	2.7W
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 175°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
paketti/laukku:	DirectFET™ Isometric MA
toimittajan laitepaketti:	DIRECTFET™ MA