PTF141501E V1 | IR (Infineon Technologies) PTF141501E V1 | PTF141501E V1 Inventory, Best Pricing

PTF141501E V1

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	PTF141501E V1
LIXINC Part #	PTF141501E V1
Valmistaja	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - rf
Kuvaus	IC FET RF LDMOS 150W H-30260-2
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	PTF141501E V1 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 25 - Oct 29 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

PTF141501E V1 Tekniset tiedot

Osa numero:	PTF141501E V1
Brändi:	IR (Infineon Technologies)
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - rf
Valmistaja:	IR (Infineon Technologies)
sarja:	GOLDMOS®
paketti:	Tray
osan tila:	Obsolete
transistorin tyyppi:	LDMOS
taajuus:	1.5GHz
saada:	16.5dB
jännite - testi:	28 V
nykyinen arvo (ampeeria):	1µA
melukuva:	-
virta - testi:	1.5 A
teho - lähtö:	150W
jännite - nimellinen:	65 V
paketti/laukku:	2-Flatpack, Fin Leads
toimittajan laitepaketti:	H-30260-2

BLF6G38-10,118	RF FET LDMOS 65V 14DB SOT975B	857 Lisää tilauksesta
BLF6G38S-25,118	RF FET LDMOS 65V 15DB SOT608B	939 Lisää tilauksesta
PTVA101K02EVV1XWSA1	IC AMP RF LDMOS	904 Lisää tilauksesta
BF2030WH6824XTMA1	MOSFET N-CH 8V 40MA SOT343	895 Lisää tilauksesta
MRF9180R5	FET RF 65V 880MHZ NI-1230	995 Lisää tilauksesta
MRFE6S9201HR5	FET RF 66V 880MHZ NI-780	994 Lisää tilauksesta
475-102N20A-00	RF MOSFET N-CHANNEL DE475	973 Lisää tilauksesta
BLF7G24L-140,112	RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502A	950 Lisää tilauksesta
BLF7G20LS-140P,118	RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1121B	989 Lisää tilauksesta
BLF8G20LS-260A,118	RF FET LDMOS 65V 15.9DB SOT539B	958 Lisää tilauksesta
ATF-331M4-BLK	IC PHEMT LOW NOISE 2GHZ MINIPAK	848 Lisää tilauksesta
J310_D27Z	JFET N-CH 25V 60MA TO92	907 Lisää tilauksesta
MRF6P27160HR6	FET RF 68V 2.66GHZ NI-1230	907 Lisää tilauksesta