IRF7524D1PBF | IR (Infineon Technologies) IRF7524D1PBF | IRF7524D1PBF Inventory, Best Pricing

IRF7524D1PBF

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	IRF7524D1PBF
LIXINC Part #	IRF7524D1PBF
Valmistaja	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET P-CH 20V 1.7A MICRO8
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	IRF7524D1PBF PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 22 - Sep 26 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

IRF7524D1PBF Tekniset tiedot

Osa numero:	IRF7524D1PBF
Brändi:	IR (Infineon Technologies)
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	IR (Infineon Technologies)
sarja:	FETKY™
paketti:	Tube
osan tila:	Obsolete
fet tyyppi:	P-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	20 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	1.7A (Ta)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	2.7V, 4.5V
rds päällä (max) @ id, vgs:	270mOhm @ 1.2A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	700mV @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	8.2 nC @ 4.5 V
vgs (max):	±12V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	240 pF @ 15 V
fet-ominaisuus:	Schottky Diode (Isolated)
tehohäviö (max):	1.25W (Ta)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	Micro8™
paketti/laukku:	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)