IRFHM830DTRPBF | IR (Infineon Technologies) IRFHM830DTRPBF | IRFHM830DTRPBF Inventory, Best Pricing

IRFHM830DTRPBF

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	IRFHM830DTRPBF
LIXINC Part #	IRFHM830DTRPBF
Valmistaja	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 30V 20A/40A PQFN
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	IRFHM830DTRPBF PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 21 - Sep 25 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

IRFHM830DTRPBF Tekniset tiedot

Osa numero:	IRFHM830DTRPBF
Brändi:	IR (Infineon Technologies)
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	IR (Infineon Technologies)
sarja:	HEXFET®
paketti:	Tape & Reel (TR)
osan tila:	Obsolete
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	30 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	20A (Ta), 40A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	4.5V, 10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	4.3mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.35V @ 50µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	27 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	1797 pF @ 25 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	2.8W (Ta), 37W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	PQFN (3x3)
paketti/laukku:	8-VQFN Exposed Pad