IRF5806TRPBF | IR (Infineon Technologies) IRF5806TRPBF | IRF5806TRPBF Inventory, Best Pricing

IRF5806TRPBF

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	IRF5806TRPBF
LIXINC Part #	IRF5806TRPBF
Valmistaja	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET P-CH 20V 4A MICRO6
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	IRF5806TRPBF PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 09 - Oct 13 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

IRF5806TRPBF Tekniset tiedot

Osa numero:	IRF5806TRPBF
Brändi:	IR (Infineon Technologies)
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	IR (Infineon Technologies)
sarja:	HEXFET®
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Obsolete
fet tyyppi:	P-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	20 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	4A (Ta)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	2.5V, 4.5V
rds päällä (max) @ id, vgs:	86mOhm @ 4A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	1.2V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	11.4 nC @ 4.5 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	594 pF @ 15 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	2W (Ta)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	Micro6™(TSOP-6)
paketti/laukku:	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6