EPC2010 | EPC EPC2010 | EPC2010 Inventory, Best Pricing

EPC2010

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	EPC2010
LIXINC Part #	EPC2010
Valmistaja	EPC
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	GANFET N-CH 200V 12A DIE
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	EPC2010 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 09 - Oct 13 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

EPC2010 Tekniset tiedot

Osa numero:	EPC2010
Brändi:	EPC
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	EPC
sarja:	eGaN®
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Discontinued at Digi-Key
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	GaNFET (Gallium Nitride)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	200 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	12A (Ta)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	5V
rds päällä (max) @ id, vgs:	25mOhm @ 6A, 5V
vgs(th) (max) @ id:	2.5V @ 3mA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	7.5 nC @ 5 V
vgs (max):	+6V, -4V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	540 pF @ 100 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	-
Käyttölämpötila:	-40°C ~ 125°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	Die
paketti/laukku:	Die