IRF6607 | IR (Infineon Technologies) IRF6607 | IRF6607 Inventory, Best Pricing

IRF6607

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	IRF6607
LIXINC Part #	IRF6607
Valmistaja	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	IRF6607 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 08 - Oct 12 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

IRF6607 Tekniset tiedot

Osa numero:	IRF6607
Brändi:	IR (Infineon Technologies)
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	IR (Infineon Technologies)
sarja:	HEXFET®
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Obsolete
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	30 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	27A (Ta), 94A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	4.5V, 7V
rds päällä (max) @ id, vgs:	3.3mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	75 nC @ 4.5 V
vgs (max):	±12V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	6930 pF @ 15 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	3.6W (Ta), 42W (Tc)
Käyttölämpötila:	-40°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	DIRECTFET™ MT
paketti/laukku:	DirectFET™ Isometric MT