2N6661JTVP02 | Vishay / Siliconix 2N6661JTVP02 | 2N6661JTVP02 Inventory, Best Pricing

2N6661JTVP02

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	2N6661JTVP02
LIXINC Part #	2N6661JTVP02
Valmistaja	Vishay / Siliconix
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 90V 860MA TO39
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	2N6661JTVP02 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 25 - Sep 29 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

2N6661JTVP02 Tekniset tiedot

Osa numero:	2N6661JTVP02
Brändi:	Vishay / Siliconix
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Vishay / Siliconix
sarja:	-
paketti:	Tube
osan tila:	Obsolete
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	90 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	860mA (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	5V, 10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	4Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2V @ 1mA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	-
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	50 pF @ 25 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	725mW (Ta), 6.25W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Through Hole
toimittajan laitepaketti:	TO-39
paketti/laukku:	TO-205AD, TO-39-3 Metal Can