IXTP2R4N50P | Wickmann / Littelfuse IXTP2R4N50P | IXTP2R4N50P Inventory, Best Pricing

IXTP2R4N50P

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	IXTP2R4N50P
LIXINC Part #	IXTP2R4N50P
Valmistaja	Wickmann / Littelfuse
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 500V 2.4A TO220AB
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	IXTP2R4N50P PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 22 - Sep 26 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

IXTP2R4N50P Tekniset tiedot

Osa numero:	IXTP2R4N50P
Brändi:	Wickmann / Littelfuse
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Wickmann / Littelfuse
sarja:	PolarHV™
paketti:	Tube
osan tila:	Obsolete
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	500 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	2.4A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	3.75Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max) @ id:	5.5V @ 25µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	6.1 nC @ 10 V
vgs (max):	±30V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	240 pF @ 25 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	55W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Through Hole
toimittajan laitepaketti:	TO-220AB
paketti/laukku:	TO-220-3