NTHS2101PT1G | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NTHS2101PT1G

NTHS2101PT1G

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	NTHS2101PT1G
LIXINC Part #	NTHS2101PT1G
Valmistaja	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET P-CH 8V 5.4A CHIPFET
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	NTHS2101PT1G PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 22 - Sep 26 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

NTHS2101PT1G Tekniset tiedot

Osa numero:	NTHS2101PT1G
Brändi:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
sarja:	-
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Obsolete
fet tyyppi:	P-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	8 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	5.4A (Tj)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	1.8V, 4.5V
rds päällä (max) @ id, vgs:	25mOhm @ 5.4A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	1.5V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	30 nC @ 4.5 V
vgs (max):	±8V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	2400 pF @ 6.4 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	1.3W (Ta)
Käyttölämpötila:	-
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	ChipFET™
paketti/laukku:	8-SMD, Flat Lead