IRFH7190TRPBF | IR (Infineon Technologies) IRFH7190TRPBF | IRFH7190TRPBF Inventory, Best Pricing

IRFH7190TRPBF

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	IRFH7190TRPBF
LIXINC Part #	IRFH7190TRPBF
Valmistaja	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 100V 15A/82A PQFN
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	IRFH7190TRPBF PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 22 - Sep 26 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

IRFH7190TRPBF Tekniset tiedot

Osa numero:	IRFH7190TRPBF
Brändi:	IR (Infineon Technologies)
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	IR (Infineon Technologies)
sarja:	FASTIRFET™, HEXFET®
paketti:	Tape & Reel (TR)
osan tila:	Obsolete
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	100 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	15A (Ta), 82A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	7.5mOhm @ 49A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.6V @ 100µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	39 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	1685 pF @ 50 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	3.6W (Ta), 104W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	PQFN (5x6)
paketti/laukku:	8-PowerTDFN