BSD314SPEL6327HTSA1 | IR (Infineon Technologies) BSD314SPEL6327HTSA1 | BSD314SPEL6327HTSA1 Inventory, Best Pricing

BSD314SPEL6327HTSA1

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	BSD314SPEL6327HTSA1
LIXINC Part #	BSD314SPEL6327HTSA1
Valmistaja	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT363-6
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	BSD314SPEL6327HTSA1 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 21 - Sep 25 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

BSD314SPEL6327HTSA1 Tekniset tiedot

Osa numero:	BSD314SPEL6327HTSA1
Brändi:	IR (Infineon Technologies)
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	IR (Infineon Technologies)
sarja:	OptiMOS™
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Obsolete
fet tyyppi:	P-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	30 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	1.5A (Ta)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	4.5V, 10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	140mOhm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2V @ 6.3µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	2.9 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	294 pF @ 15 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	500mW (Ta)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	PG-SOT363-6
paketti/laukku:	6-VSSOP, SC-88, SOT-363