SSM3K302T(TE85L,F) | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation SSM3K302T(TE85L,F) | SSM3K302T(TE85L,F) Inventory, Best Pricing

SSM3K302T(TE85L,F)

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	SSM3K302T(TE85L,F)
LIXINC Part #	SSM3K302T(TE85L,F)
Valmistaja	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 30V 3A TSM
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	SSM3K302T(TE85L,F) PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 21 - Sep 25 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

SSM3K302T(TE85L,F) Tekniset tiedot

Osa numero:	SSM3K302T(TE85L,F)
Brändi:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
sarja:	-
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Obsolete
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	30 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	3A (Ta)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	1.8V, 4V
rds päällä (max) @ id, vgs:	71mOhm @ 2A, 4V
vgs(th) (max) @ id:	-
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	4.3 nC @ 4 V
vgs (max):	±12V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	270 pF @ 10 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	700mW (Ta)
Käyttölämpötila:	150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	TSM
paketti/laukku:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3