IPS110N12N3GBKMA1 | IR (Infineon Technologies) IPS110N12N3GBKMA1 | IPS110N12N3GBKMA1 Inventory, Best Pricing

IPS110N12N3GBKMA1

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	IPS110N12N3GBKMA1
LIXINC Part #	IPS110N12N3GBKMA1
Valmistaja	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 120V 75A TO251-3
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	IPS110N12N3GBKMA1 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 22 - Sep 26 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

IPS110N12N3GBKMA1 Tekniset tiedot

Osa numero:	IPS110N12N3GBKMA1
Brändi:	IR (Infineon Technologies)
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	IR (Infineon Technologies)
sarja:	OptiMOS™
paketti:	Tube
osan tila:	Obsolete
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	120 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	75A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	11mOhm @ 75A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 83µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	65 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	4310 pF @ 60 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	136W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 175°C (TJ)
asennustyyppi:	Through Hole
toimittajan laitepaketti:	PG-TO251-3
paketti/laukku:	TO-251-3 Stub Leads, IPak