BSP318S E6327 | IR (Infineon Technologies) BSP318S E6327 | BSP318S E6327 Inventory, Best Pricing

BSP318S E6327

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	BSP318S E6327
LIXINC Part #	BSP318S E6327
Valmistaja	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT223-4
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	BSP318S E6327 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 22 - Sep 26 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

BSP318S E6327 Tekniset tiedot

Osa numero:	BSP318S E6327
Brändi:	IR (Infineon Technologies)
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	IR (Infineon Technologies)
sarja:	SIPMOS®
paketti:	Tape & Reel (TR)
osan tila:	Obsolete
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	60 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	2.6A (Ta)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	4.5V, 10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	90mOhm @ 2.6A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2V @ 20µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	20 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	380 pF @ 25 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	1.8W (Ta)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	PG-SOT223-4
paketti/laukku:	TO-261-4, TO-261AA