IRF6709S2TR1PBF | IR (Infineon Technologies) IRF6709S2TR1PBF | IRF6709S2TR1PBF Inventory, Best Pricing

IRF6709S2TR1PBF

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	IRF6709S2TR1PBF
LIXINC Part #	IRF6709S2TR1PBF
Valmistaja	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	IRF6709S2TR1PBF PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 22 - Sep 26 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

IRF6709S2TR1PBF Tekniset tiedot

Osa numero:	IRF6709S2TR1PBF
Brändi:	IR (Infineon Technologies)
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	IR (Infineon Technologies)
sarja:	HEXFET®
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Obsolete
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	25 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	12A (Ta), 39A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	4.5V, 10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	7.8mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.35V @ 25µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	12 nC @ 4.5 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	1010 pF @ 13 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	1.8W (Ta), 21W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 175°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	DIRECTFET S1
paketti/laukku:	DirectFET™ Isometric S1