IRFR3709ZTRRPBF | IR (Infineon Technologies) IRFR3709ZTRRPBF | IRFR3709ZTRRPBF Inventory, Best Pricing

IRFR3709ZTRRPBF

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	IRFR3709ZTRRPBF
LIXINC Part #	IRFR3709ZTRRPBF
Valmistaja	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 30V 86A DPAK
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	IRFR3709ZTRRPBF PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 22 - Sep 26 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

IRFR3709ZTRRPBF Tekniset tiedot

Osa numero:	IRFR3709ZTRRPBF
Brändi:	IR (Infineon Technologies)
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	IR (Infineon Technologies)
sarja:	HEXFET®
paketti:	Tape & Reel (TR)
osan tila:	Obsolete
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	30 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	86A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	4.5V, 10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	6.5mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.25V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	26 nC @ 4.5 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	2330 pF @ 15 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	79W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 175°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	D-Pak
paketti/laukku:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63