2SA1382,T6MIBF(J | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation 2SA1382,T6MIBF(J

2SA1382,T6MIBF(J

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	2SA1382,T6MIBF(J
LIXINC Part #	2SA1382,T6MIBF(J
Valmistaja	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - bipolaarinen (bjt) - yksittäinen
Kuvaus	TRANS PNP 2A 50V TO226-3
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	2SA1382,T6MIBF(J PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 10 - Oct 14 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

2SA1382,T6MIBF(J Tekniset tiedot

Osa numero:	2SA1382,T6MIBF(J
Brändi:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - bipolaarinen (bjt) - yksittäinen
Valmistaja:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
sarja:	-
paketti:	Bulk
osan tila:	Obsolete
transistorin tyyppi:	PNP
virta - kollektori (ic) (max):	2 A
jännite - kollektorin emitterin rikkoutuminen (max):	50 V
vce saturaatio (max) @ ib, ic:	500mV @ 33mA, 1A
virta - kollektorin katkaisu (max):	100nA (ICBO)
tasavirtavahvistus (hfe) (min) @ ic, vce:	150 @ 500mA, 2V
teho - max:	900 mW
taajuus - siirtymä:	110MHz
Käyttölämpötila:	150°C (TJ)
asennustyyppi:	Through Hole
paketti/laukku:	TO-226-3, TO-92-3 Long Body
toimittajan laitepaketti:	TO-92MOD