IS61QDP2B21M18A-333M3L | ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) IS61QDP2B21M18A-333M3L | IS61QDP2B21M18A-333M3L Inventory, Best Pricing

IS61QDP2B21M18A-333M3L

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	IS61QDP2B21M18A-333M3L
LIXINC Part #	IS61QDP2B21M18A-333M3L
Valmistaja	ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Kategoria	integroidut piirit › muisti
Kuvaus	IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165LFBGA
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	IS61QDP2B21M18A-333M3L PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 26 - Oct 30 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

IS61QDP2B21M18A-333M3L Tekniset tiedot

Osa numero:	IS61QDP2B21M18A-333M3L
Brändi:	ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	integroidut piirit
Alaluokka:	muisti
Valmistaja:	ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
sarja:	-
paketti:	Tray
osan tila:	Active
muistin tyyppi:	Volatile
muistimuoto:	SRAM
teknologiaa:	SRAM - Synchronous, QUADP
muistin koko:	18Mb (1M x 18)
muistin käyttöliittymä:	Parallel
kellotaajuus:	333 MHz
kirjoitusjakson aika - sana, sivu:	-
kirjautumisaika:	8.4 ns
jännite - syöttö:	1.71V ~ 1.89V
Käyttölämpötila:	0°C ~ 70°C (TA)
asennustyyppi:	Surface Mount
paketti/laukku:	165-LBGA
toimittajan laitepaketti:	165-LFBGA (15x17)