IS43DR86400E-3DBLI-TR | ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) IS43DR86400E-3DBLI-TR | IS43DR86400E-3DBLI-TR Inventory, Best Pricing

IS43DR86400E-3DBLI-TR

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	IS43DR86400E-3DBLI-TR
LIXINC Part #	IS43DR86400E-3DBLI-TR
Valmistaja	ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Kategoria	integroidut piirit › muisti
Kuvaus	IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TWBGA
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	IS43DR86400E-3DBLI-TR PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 19 - Oct 23 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

IS43DR86400E-3DBLI-TR Tekniset tiedot

Osa numero:	IS43DR86400E-3DBLI-TR
Brändi:	ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	integroidut piirit
Alaluokka:	muisti
Valmistaja:	ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
sarja:	-
paketti:	Tape & Reel (TR)
osan tila:	Active
muistin tyyppi:	Volatile
muistimuoto:	DRAM
teknologiaa:	SDRAM - DDR2
muistin koko:	512Mb (64M x 8)
muistin käyttöliittymä:	Parallel
kellotaajuus:	333 MHz
kirjoitusjakson aika - sana, sivu:	15ns
kirjautumisaika:	450 ns
jännite - syöttö:	1.7V ~ 1.9V
Käyttölämpötila:	-40°C ~ 85°C (TA)
asennustyyppi:	Surface Mount
paketti/laukku:	60-TFBGA
toimittajan laitepaketti:	60-TWBGA (8x10.5)