TH58BVG2S3HTAI0 | Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.) TH58BVG2S3HTAI0

TH58BVG2S3HTAI0

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	TH58BVG2S3HTAI0
LIXINC Part #	TH58BVG2S3HTAI0
Valmistaja	Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
Kategoria	integroidut piirit › muisti
Kuvaus	IC FLASH 4GBIT PARALLEL 48TSOP I
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	TH58BVG2S3HTAI0 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 29 - Nov 02 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

TH58BVG2S3HTAI0 Tekniset tiedot

Osa numero:	TH58BVG2S3HTAI0
Brändi:	Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	integroidut piirit
Alaluokka:	muisti
Valmistaja:	Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
sarja:	Benand™
paketti:	Tray
osan tila:	Active
muistin tyyppi:	Non-Volatile
muistimuoto:	FLASH
teknologiaa:	FLASH - NAND (SLC)
muistin koko:	4Gb (512M x 8)
muistin käyttöliittymä:	Parallel
kellotaajuus:	-
kirjoitusjakson aika - sana, sivu:	25ns
kirjautumisaika:	25 ns
jännite - syöttö:	2.7V ~ 3.6V
Käyttölämpötila:	-40°C ~ 85°C (TA)
asennustyyppi:	Surface Mount
paketti/laukku:	48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
toimittajan laitepaketti:	48-TSOP I