CYD18S18V18-200BBAXI | Rochester Electronics CYD18S18V18-200BBAXI | CYD18S18V18-200BBAXI Inventory, Best Pricing

CYD18S18V18-200BBAXI

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	CYD18S18V18-200BBAXI
LIXINC Part #	CYD18S18V18-200BBAXI
Valmistaja	Rochester Electronics
Kategoria	integroidut piirit › muisti
Kuvaus	IC SRAM 18MBIT PARALLEL 256FBGA
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	CYD18S18V18-200BBAXI PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 22 - Oct 26 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

CYD18S18V18-200BBAXI Tekniset tiedot

Osa numero:	CYD18S18V18-200BBAXI
Brändi:	Rochester Electronics
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	integroidut piirit
Alaluokka:	muisti
Valmistaja:	Rochester Electronics
sarja:	-
paketti:	Tray
osan tila:	Obsolete
muistin tyyppi:	Volatile
muistimuoto:	SRAM
teknologiaa:	SRAM - Dual Port, Synchronous
muistin koko:	18Mb (1M x 18)
muistin käyttöliittymä:	Parallel
kellotaajuus:	200 MHz
kirjoitusjakson aika - sana, sivu:	-
kirjautumisaika:	3.3 ns
jännite - syöttö:	1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V
Käyttölämpötila:	-40°C ~ 85°C (TA)
asennustyyppi:	Surface Mount
paketti/laukku:	256-LBGA
toimittajan laitepaketti:	256-FBGA (17x17)