B125C800DM-E3/45 | Vishay General Semiconductor – Diodes Division B125C800DM-E3/45

B125C800DM-E3/45

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	B125C800DM-E3/45
LIXINC Part #	B125C800DM-E3/45
Valmistaja	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Kategoria	erillinen puolijohde › diodit - siltatasasuuntaajat
Kuvaus	BRIDGE RECT 1P 200V 900MA DFM
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	B125C800DM-E3/45 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 31 - Nov 04 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

B125C800DM-E3/45 Tekniset tiedot

Osa numero:	B125C800DM-E3/45
Brändi:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	diodit - siltatasasuuntaajat
Valmistaja:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
sarja:	-
paketti:	Tube
osan tila:	Active
diodityyppi:	Single Phase
teknologiaa:	Standard
jännite - huippu käänteinen (max):	200 V
virta - keskimääräinen tasasuunnattu (io):	900 mA
jännite - eteenpäin (vf) (max) @ jos:	1 V @ 900 mA
virta - käänteinen vuoto @ vr:	10 µA @ 200 V
Käyttölämpötila:	-40°C ~ 125°C (TJ)
asennustyyppi:	Through Hole
paketti/laukku:	4-EDIP (0.300", 7.62mm)
toimittajan laitepaketti:	DFM