G2SB80-E3/51 | Vishay General Semiconductor – Diodes Division G2SB80-E3/51

G2SB80-E3/51

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	G2SB80-E3/51
LIXINC Part #	G2SB80-E3/51
Valmistaja	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Kategoria	erillinen puolijohde › diodit - siltatasasuuntaajat
Kuvaus	BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1.5A GBL
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	G2SB80-E3/51 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 27 - Oct 31 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

G2SB80-E3/51 Tekniset tiedot

Osa numero:	G2SB80-E3/51
Brändi:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	diodit - siltatasasuuntaajat
Valmistaja:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
sarja:	-
paketti:	Bulk
osan tila:	Active
diodityyppi:	Single Phase
teknologiaa:	Standard
jännite - huippu käänteinen (max):	800 V
virta - keskimääräinen tasasuunnattu (io):	1.5 A
jännite - eteenpäin (vf) (max) @ jos:	1 V @ 750 mA
virta - käänteinen vuoto @ vr:	50 µA @ 600 V
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Through Hole
paketti/laukku:	4-SIP, GBL
toimittajan laitepaketti:	GBL