DF200R12W1H3B27BOMA1 | IR (Infineon Technologies) DF200R12W1H3B27BOMA1 | DF200R12W1H3B27BOMA1 Inventory, Best Pricing

DF200R12W1H3B27BOMA1

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	DF200R12W1H3B27BOMA1
LIXINC Part #	DF200R12W1H3B27BOMA1
Valmistaja	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - igbts - moduulit
Kuvaus	IGBT MOD 1200V 30A 375W
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	DF200R12W1H3B27BOMA1 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 07 - Oct 11 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

DF200R12W1H3B27BOMA1 Tekniset tiedot

Osa numero:	DF200R12W1H3B27BOMA1
Brändi:	IR (Infineon Technologies)
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - igbts - moduulit
Valmistaja:	IR (Infineon Technologies)
sarja:	-
paketti:	Bulk
osan tila:	Active
igbt tyyppi:	-
kokoonpano:	2 Independent
jännite - kollektorin emitterin rikkoutuminen (max):	1200 V
virta - kollektori (ic) (max):	30 A
teho - max:	375 W
vce(on) (max) @ vge, ic:	1.3V @ 15V, 30A
virta - kollektorin katkaisu (max):	1 mA
tulokapasitanssi (cies) @ vce:	2 nF @ 25 V
syöttö:	Standard
ntc termistori:	Yes
Käyttölämpötila:	-40°C ~ 150°C
asennustyyppi:	Chassis Mount
paketti/laukku:	Module
toimittajan laitepaketti:	Module